Hubei Daily（记者Ma Wenjun）于8月19日从Jiufengshan实验室获悉，实验室团队最近在磷化物（INP）领域产生了必不可少的技术落下，并成功地开发了6个 - 渗透磷化物（INP）的磷化物（INP）的pin型销钉结构和Intermit pulgaDA结构的结构（INSTUME INSTUME INSTRUTION -intructium Indorted Fp and Ppulgada Indorted Fp insper）FP，领先水平的领先水平。这一成功也是中国第一次，它实现了从基本设备到基本材料的国内合作，在大型磷化物材料的领域中，为光电设备的工业开发提供了重要的支持。 Jiufengshan实验室在光学通信，数量计算等领域的6英寸磷化物销探测器。主要行业正在进行3英寸的过程，高成本是它不符合TH流动工业应用的爆炸性增长。依靠国内MOCVD设备和INP底物技术，Jiufengshan实验室受到了大规模控制外延均匀性的控制问题，并开发了第一次的6英寸磷化物（INP）PIN结构检测器和FP结构激光的外观增长过程。主要的性能指标达到了国际领先水平，为6英寸磷化物（INP）光学芯片的大规模制备奠定了基础。反对全球光电行业的快速发展，对Optical Communicationsn，Lidar，Tehertz Communications和其他领域的磷化磷化物（INP）的需求显示了爆炸。根据Yole的预测，2027年的磷化磷化物（INP）市场光电量的规模将达到56亿美元，复合增长率（CAGR）的年龄为14％。在6英寸磷酸二英寸的过程中成功（INP）预计将将国内光学芯片的成本推向3英寸流程的60％-70％，这有助于增强国内光学芯片市场的竞争。 Jiufengshan实验室目前已经在国内供应链中取得了全链突破，这对建立我国的化合物化合物的协调开发产生了重要影响，并为独立和控制的工业链奠定了基础。例如，借助Jiufengshan实验室中的这种突破性技术，在Yunnan Xinyao的基质中，6英寸磷化物（INP）合作伙伴在6英寸高质量的磷化物单晶芯片的工业化方面取得了成功。将来，实验室将继续优化INP的6英寸外延平台，促进上游产品的验证，提高工业链的独立和受控能力，并促进我国光电行业的升级升级。